去耦电容首先用于多级电路，以确保信号在前级和后级之间传输，而不会影响静态工作点的每个级。
电源去耦意味着当芯片的内部开关操作或输出发生变化时，必须立即从电源线汲取大电流，这可能导致电源线上的电压降低，从而导致自身和其他设备干扰。
为了减少这种干扰，可以使用“小池”。
需要将电存储放置在芯片附近以提供这种瞬时高电流能力。
我们经常可以看到在电源和地之间连接了一个去耦电容。
它有三个功能：1。
作为集成电路的存储电容器; 2.滤除设备产生的高频噪声，将其切断。
电源电路传播的路径; 3.防止电源承载的噪声干扰电路。
在直流电源回路中，负载的变化会导致电源噪声。
例如，在数字电路中，当电路从一种状态切换到另一种状态时，在电力线上产生大的峰值电流以形成瞬态噪声电压，并且去耦电容器可以被配置为抑制负载变化。
产生的噪声是印刷电路板可靠性设计的常见做法。
其配置原则如下：●电源输入端连接10~100uF电解电容。
如果允许印刷电路板的位置，则使用100uF或更多。
电解电容的抗干扰效果会更好。
•为每个集成电路芯片配置0.01uF陶瓷电容。
如果你遇到一个小的印刷电路板空间而不能装，你可以每4~10个芯片配置一个1~10uF的钽电解电容，这个器件的高频阻抗特别小，阻抗小于1Ω范围为500kHz~20MHz，而且漏电流小（0.5 uA或更小）。
●对于噪声能力弱，关断期间电流变化较大的设备，以及ROM和RAM等存储设备，去耦电容应直接连接在芯片的电源线（Vcc）和地（GND）之间。
●去耦电容的引线不应太长，特别是高频旁路电容不能引出。
